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型号：

DMN6066SSS-13

RoHS：无铅 / 符合
制造商：Diodes Inc描述：MOSFET N-CH 60V 3.7A SO8
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
DMN6066SSS-13 PDF
标准包装 2,500
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 66 毫欧 @ 4.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 10.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 502pF @ 30V
功率 - 最大 1.56W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOP
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 DMN6066SSS-13TR
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